浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室第一届学术委员会第二次会议举行

12月2日，浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室（简称实验室）第一届学术委员会第二次会议在浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）举行。中国科学院院士、实验室学术委员会主任郑有炓，中国科学院院士、科创中心首席科学家、实验室学术委员会副主任杨德仁，科创中心主任杨建义，相关专家代表及有关部门负责人以线上线下相结合方式参加会议。会议由先进半导体研究院院长、实验室主任盛况主持。

郑有炓指出，要加强应用基础研究，面向宽禁带半导体材料目前面临的机遇和挑战集智攻关；要把可靠性研究放在实验室建设的核心位置，着力破解电力电子器件、能源管理、电源控制等领域技术难题；要坚持创新驱动发展战略，通过新技术新方法进一步发展新材料新器件，以自主创新助推国产化替代加速；要注重协同发展，链接多方资源，在广域的维度上全面有效开展合作，激发产业创新驱动的内生动力。

杨德仁指出，实验室要坚持面向国家重大战略需求，面向区域经济发展需要，面向未来发展方向，以需求为牵引，推动材料、芯片、封测、应用全链条创新；要进一步凝练特色研究方向，加快推进半导体材料前沿基础科学研究，突破关键领域 “卡脖子”技术问题；要与科技前沿紧密连接，承担国家重大科技项目，申报国家级重要基地。

杨建义表示，科创中心作为市校战略合作共建的重大科技创新平台，一直坚持科技创新与产业创新双向联动，着力推进多学科交叉会聚、加快科研范式重塑变革。先进半导体研究院作为科创中心最早成立的平台之一，坚持产学研一体发展，已在人才队伍、平台建设和科研领域等方面取得平稳发展。他希望研究院能够进一步链接资源、协同创新，为高水平科技自立自强作出科创贡献。

盛况汇报了实验室建设进展，他表示，实验室正瞄准国家战略需求和学科发展前沿，依托长三角产业优势、协同各类优势资源，搭建产学研创新生态，不断推动产学研深度融合发展。他指出，实验室在各方力量的支持与帮助下，正在探索适应新时代发展需要的体制机制，构建宽禁带半导体创新生态与产业引育体系，共同打造科技创新与产业化赋能型平台，推进创新链与产业链深度融合。

与会委员充分肯定了实验室建设进展并就未来发展规划、特色研究方向、产业化应用等方面提出意见建议。

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浙江省宽禁带功率半导体材料与

器件重点实验室

浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室围绕宽禁带功率半导体产业链进行布局，以高质量宽禁带半导体单晶与外延、高性能宽禁带半导体功率芯片和先进封装测试与应用技术为主要研究方向，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施以及国际一流的科技人才队伍。

实验室着力打造第三代半导体研发、制造、应用和测试评价全产业链的新格局，驱动浙江省、长三角地区的第三代半导体产业的发展与转型，以硬核科技成果支撑浙江省乃至全国相关战略产业发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。

文字：孔晓睿 仝波

本文编辑：孔晓睿

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